系统概述

在近代，由于新型半导体材料（如超宽禁带半导体）和低维物理的发展（如石墨烯技术）、新的极端物理条件（如超低温度和超强磁场等的应用），使得凝聚态体系（特别是低维凝聚态体系）中的磁现象研究取得了许多突破性的进展。霍尔效应作为常规的磁学表征手段，越来越受到广泛的应用，带动了凝聚态物理、自旋电子学等一批新兴学科和稀磁材料、自旋电子学材料等一批新兴材料的蓬勃发展�?

聚芯锐测科技（北京）有限公司的霍尔测试系统能够实现在变温情况下对样品进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性以及I-V特性（电阻率）的测试；可得到样品的方块电阻、电阻率、霍尔效应、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，且可以绘制以上参数随温度或者磁场变化的曲线。该系统可由keysight的B2902A高精度源表�?4970A数据切换单元（配�?4904A矩阵开关）、霍尔效应测试软件、高低温测试夹具、电磁铁、电磁铁电源、高斯计等组成�?

系统特�?

可测试SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 以及铁氧体材料等半导体材料；

电阻率、霍尔系数测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准�?

可测参数：方块电阻、电阻率、霍尔效应、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型；

可绘制I-V、R-T、R-M等特性曲线；

阻抗测试范围�?00nΩ（低阻选件）~10GΩ（高阻选件）；

温度范围：室温，80K~325K（标准型），80~500K（高温型）；4K~325K�?K型）�?0K~325K�?0K�?

磁场范围�?T@10mm�?.3T@10mm�?.6T10mm�?

电磁铁电源内置高斯计，磁场稳定度�?.1G以内�?

可测迁移率：1~1*105cm2/vs，载流子浓度�?*1012~6*1021cm-3，霍尔系数：±1*10-3~±1*106cm3/C，电阻率�?*10-7~5*102Ω•cm

标准系统支持一次同时测试两个样品，可增加配件同时测�?个样品；